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學術沙龍:摻雜/缺陷對金屬氧化物半導體電子結構的影響及應用研究

人力資源部教師發展中心“學術沙龍”活動特別邀請國家青年特聘專家張洪良教授來校交流,具體安排如下,歡迎廣大師生參加。

  一、主 題:摻雜/缺陷對金屬氧化物半導體電子結構的影響及應用研究

    二、主講人:廈門大學 張洪良 教授

    三、時 間:2019年5月24日(周五)10:00

  四、地 點:沙河校區物理學院204會議室

  五万彩吧6合资料、主持人:物理學院 喬梁 教授

  六、內容簡介:

金屬氧化物半導體表現出豐富奇特的電學、光學、磁學等性能,在新型電子器件、光電催化等方面有著廣闊的應用前景,一直是材料科學領域的研究熱點。我們的研究工作主要采用分子束外延(MBE)和激光脈沖沉積(PLD)等方法制備氧化物半導體薄膜及異質結, 進而利用基于同步輻射的光電子能譜、吸收譜和第一性原理計算(合作)等深入理解所制備薄膜的表界面電子結構, 確定其結構與物性之間的關聯,并探索這些薄膜測量在光電子器件和光電催化方面的應用。在此次報告中,我將會利用Sn摻雜透明氧化物半導體In2O3,Sr摻雜的鈣鈦礦結構LaCrO3和Li摻雜的NiO作為例子來展示摻雜如何巨大地改變材料本身的電子結構, 并探討這寫功能材料在透明電子器件和光電催化等方面的潛在應用。

  七、主講人簡介:

 張洪良,廈門大學化學化工學院閩江學者特聘教授; 2003年獲得山東大學光信息科學與技術專業本科學位,2008年新加坡國立大學凝聚態物理碩士學位,2012年獲英國牛津大學無機化學博士學位。2012-2017年先后任職美國西北太平洋國家實驗室博士后和英國劍橋大學材料系Herchel Smith Fellow。主2015年劍橋大學Herchel Smith Research Fellowship; 2016年入選國家青年特聘專家万彩吧6合资料。要從事功能氧化物半導體薄膜生長,并利用同步輻射光電子能譜技術研究其電學, 光學和催化等性質万彩吧6合资料。在透明導電氧化物, 鈣鈦礦結構氧化物, 光水分解材料等基礎性質研究等方面取得了一系列重要成果,迄今在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Phys. Rev. B, Adv. Mater., 等學術期刊發表論文100余篇。曾獲得英國牛津大學Clarendon 全獎獎學金,臺灣集成電路最佳國際研究生科研獎。

  八、主辦單位:人力資源部教師發展中心

    承辦單位:物理學院

 

                      人力資源部教師發展中心

                         2019年5月22日

 

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